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Artikelnummer: | CSD83325L |
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Hersteller / Marke: | N/A |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET 2N-CH 12V 6PICOSTAR |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
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Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $0.60 |
10+ | $0.529 |
25+ | $0.4964 |
100+ | $0.4052 |
250+ | $0.3764 |
500+ | $0.3203 |
1000+ | $0.2563 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 1.25V @ 250µA |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | 6-PicoStar |
Serie | NexFET™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Leistung - max | 2.3W |
Verpackung / Gehäuse | 6-XFBGA |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.9nC @ 4.5V |
FET-Merkmal | - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 12V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | - |
Konfiguration | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
Grundproduktnummer | CSD83325 |
CSD83325L Einzelheiten PDF [English] | CSD83325L PDF - EN.pdf |
MOSFET 2P-CH 20V 4.5A 12DSBGA
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MOSFET 2P-CH 3.9A 9DSBGA
MOSFET 2P-CH 20V 1.2A 6DSBGA
TI DSBGA-12
EVAL MODULE FOR CSD86330Q3D
MOSFET 2N-CH 12V 6PICOSTAR
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() CSD83325L |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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